Trong những bài viết trước [1-4], chúng
tôi đã trình bày về sự thành công trong việc chế tạo bộ cảm biến dùng
trong
hệ thống chụp hình quang tuyến X kỹ
thuật số (digital radiography hay DR).
Cơ cấu và nguyên lý vận hành của những
bộ cảm biến này cũng có thể dùng trong máy chụp cắt lớp vi tính
(computed tomography hay chụp CT) thông thường và cone beam CT (CBCT)
hiện đại trong việc chụp xạ hình của các bộ phận trong cơ thể con
người, súc vật và trong những ứng dụng đặc thù về mặt, răng và giải
phẫu thẩm mỹ. So với hệ thống chụp X quang cho vú và ngực, kích cỡ
điểm ảnh (pixel) và khoảng cách không tín hiệu (dead space) giữa các
đơn vị cảm biến modules (tiling) trong máy chụp CT lớn hơn; vì thế
công tác chế tác trở nên thuận lợi hơn.
Từ lúc máy
chụp CT ra đời vào năm 1972, máy chụp cắt lớp vi
tính đã tiến bộ vượt bực qua nhiều thế hệ. Trong những năm gần đây,
phương hướng dùng bộ cảm biến màn phẳng (flat panel detectors)
trong máy chụp CT càng lúc càng trở nên thịnh hành trong nhiều lãnh
vực chẩn đoán lâm sàng. Loại máy này có cái tên gọi chung là Cone Beam
CT hay CBCT hay CT với bộ cảm biến có
màn phẳng (Flat-panel-detector-based CT, hay
thường gọi tắc là FDCT). Cả hai CBCT và
FDCT thuộc thế hệ thứ bảy và thứ tám trong Table 1 [5]. Cũng
xin ghi nhận ở đây, phần lớn các chuyên gia nhập cả hai thế hệ và gọi
với cái tên chung chung là thế hệ thử bảy
để ám chỉ CBCT với màn hình phẳng.
Bộ cảm
biến màn hình phẳng có thể là bộ cảm biến kết nối (hybrid) với phốtpho/
vô định hình silic quang điốt/tranzito (indirect conversion) hay chất
quang điện selenium/tranzito (direct conversion).
Hay cũng có thể là bộ cảm biến tích hợp; trong cấu trúc này tấm nền
silic được làm mỏng dùng thuật khắc hóa cơ và các thành phần để dẫn
tín hiệu đến bo mach đều có chế tạo bằng
đơn tinh thể silic. Lớp phốtpho có thể là phốtpho có cấu trúc hay
phốtpho kết hợp với bản mặt phẳng bằng sợi quang (fiber optic
faceplate). Và phương pháp “tiling” của chúng tôi
như đã trình bày ở những bài viết trước sẽ dùng cho cả hai cấu trúc.
Trong máy chụp cắt lớp vi tính, nhiều dàn hàng của bộ cảm biến có thể
kết nối bắng “tiling” và quang phổ hay X-quang (tùy theo indirect hay
direct conversion) có thể chiếu từ phía sau tấm nền để gia tăng tín
hiệu và giảm thiểu nhiễu âm. Trong trường hợp indirect conversion,
phốtpho có cấu trúc (structured phosphor) hay cesium iodide hợp với
tạp chất thallium (CsI:Tl) có thể xử dụng.
Cùng một máy chụp CT cũng có thể thiết kế với hai dạng thức
radiography và fluoroscopy dùng configured transistors [6].

Table 1 Sự phát triển của máy chụp
cắt lát CT trong vòng năm thập niên qua [5]. Một số lớn các chuyên gia
nhập thế hệ thứ bảy và thứ tám chung lại
với nhau dưới cái tên “thế hệ thứ bảy”.
Trong bài viết này, chúng tôi sẽ thảo luận máy
chụp cắt lớp vi tình dùng bộ cảm biến màn hình phẳng có cấu trúc
hybrid. Máy CBCT với bộ cảm biến màn hình phẳng
tích hợp sẽ được trình bày ở bài viết kế tiếp.
1.
Tóm lược về cấu trúc bộ cảm biến X quang hybrid trong những bài viết
trước
1.1
Bộ cảm biến màn hình phẳng thuộc dạng ghép nối (hybrid)
Hệ thống
cảm biến DR (direct radiography) dùng một chất cảm quang phủ trên hàng
chục triệu tranzito (transistors) trải rộng trên một mặt nền có kích
cỡ 14”x17” (35.6 cm x 43.2 cm)
tới
17”x17” (43.2 cm x43.2 cm) dùng trong việc chụp X quang ngực và
8.5”x10” (21.6 cm x 25.4 cm) tới 10”x10” (25.4 cm x 25.4 cm) dùng
trong việc chụp X-quang vú. Mỗi tranzito đi đôi với một điểm ảnh
(pixel)- tương đương với một giếng điện tích- có kích cỡ khoảng 50 µm
x 50 µm đến 139 µm x 139 µm; có thể nhỏ hơn hay lớn hơn tùy theo nhu
cầu, giá thành và phương pháp thiết kế. Mỗi
tranzito vẩn hành như một cái khóa điện tử có thể đóng mở để truyền
tải điện tích. Lượng điện tích tỉ lệ với lượng quang tuyến X và
được dẫn đến các mạch điện chung quanh trang bị với bộ ghi dịch (shift
register), bộ biến đổi A/D (A/D converter), source follower, tạo thành
hình trắng đen trên màn hình máy tính để bác sĩ X quang tầm soát và
chẩn đoán [3]. Hình 1a tương đương với bộ cảm biến DR với chất quang
dẫn (photoconductor) amorphous selenium nằm trên một dàn hàng với hàng
triệu vô định hình silic tranzito (amorphous silicon thin film
transistors) để cảm biến trực tiếp lượng X quang qua dạng điện tích.
Thuật ngữ để ám chỉ qui trình biến đổi trực tiếp từ X quang sang điện
tích được gọi là “direct conversion”. Hình 1b biểu hiện một dạng thức
khác của bộ cảm biến DR khi chất cảm biến là cesium iodine hợp thêm
với tạp chất thallium (CsI:Tl) hay
gadolinium oxysulfide thêm với tạp chất terbium (GdOS:Tb) dùng để biến
X quang thành quang phổ nhìn thấy. Thuật ngữ để ám chỉ qui trình biến
đổi từ X quang qua quang phổ rồi sang điện tích được gọi là “indirect
conversion”. Lượng quang phổ tỉ lệ với lượng X quang được cảm biến với
quang điốt (photodiode) và điện tích đạt được sẽ được truyền đạt đến
mạch điện chung quanh.
Trong hệ DR này, mạch điện tử đọc tín hiệu
(read-out electronics) với những mạch điện chung
quanh làm bằng đơn tinh thể silic và kết nối với bộ cảm biến bằng hợp
kim hàn. Chúng tôi tạm gọi hệ thống này là bộ cảm
biến ghép nối (hybrid radiation detector). Có nghĩa là bộ cảm
biến này được tạo thành bằng sự kết hợp qua hàn chì
của hàng
triệu vô định hình silic tranzito và quang điốt làm bằng vô định hình
silic hay đa tinh thể silic với mạch điện chung quanh làm bằng đơn
tinh thể silic.
1.2
Tiling approach
Kỹ thuật
“tiling approach” bằng cách ghép N tấm modules hay tiles 8.5”x8.5”
(hay nhỏ hơn; N =2,4,8,16 hay con số nguyên
nào thích hợp) đặt sát cạnh bên nhau trên một tấm nền bằng kính lớn và
cố giữ khoảng cách không tín hiệu (dead space) giữa những đơn vị
modules nhỏ hơn kích cỡ của mỗi điểm ảnh (pixels) dùng kỹ thuật mài
giũa chính xác góc cạnh của mỗi đơn vị modules. Sau đó, một lớp
phốtpho hay quang dẫn điện (photoconductor)/điện môi (dielectric
layers) được phủ lên trên toàn vùng của dàn hàng của các đơn vị cảm
biến modules tương ứng với indirect conversion DR hay direct
conversion DR (Hình 1c).

Hình 1.
(a) Cấu trúc điểm ảnh DR với amorphous selenium/transistors (direct
conversion) do chúng tôi đề nghị và triển khai; (b) Cấu trúc điểm ảnh
DR với phosphor/photodiodes/transistors (indirect conversion); phốtpho
có cấu trúc (structured phosphor) hay CsI:Tl
có thể dùng để giảm thiểu sự phát tán quang tử; và (c) Phương thức ráp
bốn đơn vị cảm biến (modules) để chụp X-quang ngực kỹ thuật số. Mạch
điện tử đọc tín hiệu (read-out electronics) nằm chung quanh bộ cảm
biến được chế tạo bằng đơn tinh thể silic (single crystal silicon)[7].
2.
Máy chụp cắt lớp vi tính với màn phẳng
2.1
Cấu trúc của máy chụp cắt lớp vi tính
Hiện tại,
thuật ngữ bộ cảm biến có màn phẳng
(Flat-panel-detector-based CT hay FDCT)
phần lớn dùng để ám chỉ chụp xạ hình CT dùng hệ C-arms (Hình 2,3 & 4)
dùng cho radiography và nội soi huỳnh quang (fluoroscopy). Những máy
chụp cắt lớp vi tính này được trang bị với
bộ cảm biến màn hình phẳng thay vì
một dàn hàng đơn vị cảm biến nhất
định như trong những máy cắt lớp thông thường [4]. Bộ
cảm biến màn hình phẳng FDCT
thu nhập dữ liệu qua một vòng quay 180 độ hay lớn hơn nữa và có ưu
thế về vùng tuyến tính rộng, tốc độ đọc tìn hiệu điện tử nhanh và
thiết kế gọn. Ngoài ra FDCT còn có những ứng dụng có tính cách đặc thù
có thể xử dụng trong máy quét CT với những ứng dụng như micro-CT, vùng
maxilla-facial và lận cận (miệng , cằm, cổ,
hay tai, mũi, họng) hay trong phòng phẫu thuật.
CT dùng C-arm systems trang bị với bộ
cảm biến màn phẳng được nghiên cứu và xử dụng trong nhiều năm qua; đầu
tiên với ống tăng cường ảnh (image intensifiers).
Nhưng gần đây người ta cùng bắt đầu dùng bộ cảm biến màn phẳng với
diện tích trong phạm vi từ 5x5 cm2 đến 40x40 cm2,
tùy theo ứng dụng và giá thành. Màn phẳng với một diện tích rộng như
30 x40 cm2 và kích cỡ của điểm ảnh (pixel size) khoảng
150x150 µm2 cũng được triển
khai. Kích thước này cũng nằm trong phạm vi
kích cỡ bộ cảm biến màn hình phẳng dùng trong hệ DR (direct digital
radiography) dùng chụp quang tuyến ngực và vú mà chúng tôi đã góp phần
khai phát.
Thêm vào đó, FPCT
có tính đa dạng và có thể dùng trong real-time fluoroscopy với độ phân
giải không gian cao; và vẫn có thể giữ thời gian quét dài đủ để tối ưu
hóa tí số signal/noise.

Hình 2.
Tầm nhìn tổng quát của cấu trúc FPCT.
Sự khác biệt chính của FDCT và hệ chụp hình cắt lớp CT thông thường là
nguồn tia X hình nón và bộ cảm biến màn
phẳng được xử dụng. Isocenter là giao điểm giữa
trục X và trục Z (trục di chuyển bàn bệnh nhân). Khoảng cách từ
nguồn tia X đến bàn bệnh nhân và bộ cảm biến màn phẳng theo thứ tự là
57 cm và 93 cm [8
].

Hình 3.
Máy chụp FDCT thử nghiệm của Siemens với
phần bọc bên ngoài được tháo ra. Mũi tên màu trắng và
màu đen theo thứ tự chỉ định vị trí của hệ
phát tia X và bộ cảm biện màn hình phẳng nằm. Bộ
cảm biến được chế tạo với chất vô tinh thể silic. Mặc dù chỉ có
một bộ cảm biến màn phẳng dùng ở đây, tùy theo ứng dụng, nhiều bộ cảm
biến màn phẳng cũng có thể dùng (theo dạng tiling)[8]
.

Hình 4.
Máy chụp hình cắt lớp CT có cấu trúc tương tự với cấu trúc biểu
hiện ở Hình 2 và Hình 3 với C-arms [ 9].
2.2
Phốtpho dùng trong máy chụp CT
Ngoài chất
gadolinium oxysulfide thêm với tạp chất terbium (GdOS:Tb) và cesium
iodide thêm tạp chất thallium (CsI:Tl) thường dùng trong hệ DR
(digital radiography); những chất liệu sau cũng được dùng trong máy
chụp CT: CdWO4, Gd2O2S:Pr,Ce (GOS),
(Y,Gd)2O3:Eu , ZnSe:Te , GE Gemstone™ ,
(Lu,Gd,Y,Tb)3 , SrI2:Eu và (Ga,Al)5O12
[10]
3.
Những điểm chính khác nhau giữa MSCT và FPCT
Bộ cảm biến dùng trong
FDCT có nhiều điểm tương đồng với MSCT [4].
Kích cỡ của hai bộ cảm biến có phần khác nhau: trong khi MSCT đòi hỏi
đơn vị cảm biến với kích cỡ nằm trong khoảng 1.0 x 15 mm2
or 1.0 x 1.5 mm2, đơn vị cảm
biến dùng trong FDCT có kích cỡ nhiều lần nhỏ hơn, thường trong
khoảng 0.1 đến 0.2 mm mỗi bên.
Bộ cảm biến với màn
phẳng dọc theo hướng Z với một vùng rộng
và bao phủ một diện tích lớn hơn cho mỗi vòng quay của bánh rán. Mặc
dù độ phân giải không gian và độ phân giải tương phản (contrast
resolution) của FDCT không khác hơn MSCT
một cách đáng kể, cấu trúc của FDCT có thể dẫn đến đến nhiều lợi ích
trong việc chẩn đoán lâm sàng. MSCT bị giới hạn bởi một góc độ nhất
định, trong khi đó FDCT mở đường cho việc dùng C-arm dùng màn hình
phẳng cho động mạch bằng cách lợi dụng ưu điểm
về quang trường rộng và khả năng dùng “C-arm spins” ở góc độ thích
nghi cho việc thu thập thông tin động (dynamic information) trong thời
gian thực (real time).
FDCT lúc
đầu được triển khai để dùng trong việc chụp quang tuyến X (radiography)
và sau này dùng trong chụp tia X mạch (angiography) để cải
thiện những yếu điểm của phim/screen và ống tăng cường ảnh (image
intensifier). Với cơ cấu của FDCT, khả năng đọc tín hiệu điện
tử nhanh với độ tin cậy cao và vùng tuyến
tính rộng. Riêng về trường hợp phốt pho, độ hấp thụ
tia X cao hơn với lớp phốtpho dày hơn;
nhưng đồng thời độ phân giải không gian (spatial resolution) bị giảm.
Trường hợp của “indirect conversion” với với
CsI:Tl, ánh sáng dọc theo những cột hình trụ (columns/neddles) trong
phốtpho có cấu trúc không hoàn hảo (phân tán ánh sáng); kết quả là độ
phân giải không gian cũng bị suy giảm. Trong trường họp
này , cấu trúc biến đổi trực tiếp (direct
conversion) với lớp dẫn quang điện như selenium có thể thuận lợi hơn.
Table 2 tóm tắt những sự khác biệt về tham số
(parameters) giữa MSCT và FDCT.

Table 2.
Những tham số tiêu biểu của MDCT (hay MSCT) và
FDCT. So với MSCT, số đơn vị cảm biến trong FDCT nhiều
hơn và bao phủ một khoảng cách rộng hơn. Ghi chú: MDCT (Multi-Detector
CT) và Multi-Slice CT (MSCT) đồng nghĩa với nhau [11],
4.
Thí dụ về CBCT dùng trong việc chẩn đoán
Máy thử nghiệm CBCT của hãng GE (General
Electric Global
Research,
Niskayuna,
NY)
gồm có hai bộ cảm biến màn phẳng tia X dựa
vào vô định hình silic (amorphous silicon) được lắp đặt trên hệ thống
quay bánh rán.
Mỗi bộ cảm biến có kích cỡ
20.5 x 20.5 cm2 với 1,024 x 1,024 pixel; và pixel size 200
x 200 µm2. Bộ cảm biến có một dàn hàng
điểm ảnh với cấu trúc phốtpho/ quang điốt/ tranzito.
Cả điốt và tranzito đều được chế tạo dựa vào chất
vô định hình silic (amorphous silicon) với cấu tạo biểu hiện ở Hình
1b. Bộ cảm biến nằm đối diện với ống tia X với bánh rán có
đường kính bên ngoài là
43.8 cm.
Quang trường (field of view hay FOV) là 12.8 x 12.8 cm2
ở dạng đơn (single mode); trong trường hợp của dạng kép (dual mode),
tầm nhìn là 33.3. x 33.3 cm2.
Đối với cả hai dạng, khoảng cách từ điểm
hội tụ đến isocenter (giao điểm giữa trục X và trục Y của máy chụp
CT) là 54 cm. Khoảng cách tính từ bộ cảm biến X-quang đến isocenter đối
với dạng đơn là 78.3 cm và 80.3 cm trong trường hợp của dạng kép. Độ
phân giải không gian 0.2
mm ở 10% MTF (hàm chuyển điều biến hay modulation transfer function)
Những
diểm ảnh này có thể “ghép chung với nhau/binned” với nhau để tạo CT
với những lát cắt có chiều dày khác nhau [12-13].
5.
Kết từ
Cấu trúc
của bộ cảm biến và phương pháp “tiling” mà chúng tôi đã góp phần triển
khai có thể dùng trong việc chế tạo máy CT với bộ cảm biến có màn hình
phẳng FDCT. Cùng với công nghệ xoắn ốc, MSCT, sự phát triển của màn
hình phẳng cũng đã làm cho máy chụp hình cắt lớp X-quang
càng lúc càng trở nên thịnh hành hơn chẳng những trong nhiều
lãnh vực chẩn đoán lâm sàng, mà còn có thể dùng trong những ứng dụng
đặc thù về mặt, răng và giải phẫu thẩm mỹ. Trong
bài viết tới, chúng tôi sẽ thảo luận CT với bộ cảm biến tích hợp có
màn hình phẳng.
Trần Trí Năng
(University of Minnesota & Ecosolar International)
6/25/2021
6.
Tài liệu tham khảo
[1]
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/Digital%20Mammography.htm
[2]
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/Digital-Breast-Tomosynthesis.htm
[3]
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/Integrated%20Radiation%20Detector.htm
[4] MSCT
[5]
Mahadevappa Mahesh,
Johns Hopkins University, Baltimore, MD
[6]
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/Fluoroscopy-Radiography.htm
[7] N. Tran: Thin Films Technology, UMN.
[8] Source:
Francis Fortin
and
Andrew Murphy
et al.
[9]
https://doi.org/10.1016/j.jvir.2008.02.002.
April 23, 2008DOI
[10]
Source: Philips Healthcare
[11] Willi
A. Kalender & Yiannis Kyriakou, European
Radiology, vol.17 (2007) , pp 2767- 2779.
[12]The British Journal of Radiology , 82
(2009), 716-723).
[13]
https://radiopaedia.org/articles/flat-panel-ct?lang=us
|